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砷化鎵(GaAs)霍爾器件 OS-HD-GA001GaAs Hall Element - OS-HD-GA001


INTRODUCTION介紹


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砷化鎵(GaAs)霍爾器件 - OS-HD-GA001


產(chǎn)品特性:

靈敏度高
線性度好
高可靠性
體積小


產(chǎn)品應(yīng)用:

流量檢測
位置/速度檢測與控制
變速驅(qū)動(dòng)
 

       霍爾器件是一種利用半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)原理工作的一種磁敏感半導(dǎo)體器件,按半導(dǎo)體材料不同,分為Si、InSb和Si三種,其中Si霍爾器件和處理電路集成在同一芯片上可形成霍爾集成電路,可用于變速驅(qū)動(dòng)、無刷直流電機(jī)、電流監(jiān)控、功率感應(yīng)、運(yùn)動(dòng)監(jiān)測、流量感應(yīng)等技術(shù)領(lǐng)域,是家用電器、汽車電子、移動(dòng)通信終端、工業(yè)自動(dòng)控制、鐵路運(yùn)輸、電源管理等領(lǐng)域最重要的傳感器件之一,具有體積小,重量輕,功耗低,壽命長,無觸點(diǎn)、無磨損、安裝方便等特點(diǎn)。

 

參數(shù)最小值標(biāo)準(zhǔn)值最大值測試條件
 輸出霍爾電壓(mV) 140 150 170 B=100G, Vc=5V
 輸入阻抗(KOhm) 1.0 1.25 1.5 B=0 G, Ic=1mA
 輸出阻抗(KOhm) 1.8 2.3 3.0 B=0 G, Ic=1mA
 不平衡電壓(mV) - - ±5 B=0 G, Vc=1V
 溫度系數(shù)(%/℃) - - -0.06 B=100G, Ic=5mA
T1=25℃,T2=125℃
 絕緣阻抗(MOhm) - - 2.0 100V


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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列

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