GaAs 850nm 50Gbps PAM4 / 850nm 200Gbps PAM4 1x4 Array PD Chip
OS-GaAs2838 / OS-GaAs4x2838
Features
Bandwidth up to 28GHz
φ38um active area
Low capacitance
GSG Electrode Structure
Application
50Gbps PAM4
200Gbps PAM4
100Gbps SFP+
Specification (Tc=25℃, Single Die)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Response range | λ | 840 | 850 | 860 | nm | |
Responsivity | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
Dark current | ID | 0.01 | 0.05 | nA | VR=-5V | |
Capacitance | C | 0.07 | 0.10 | pF | VR=-2V, f=1MHz | |
Bandwidth | Bw | 28.0 | GHz | VR=-2V 3dB down, RL=50Ω |
2023-08
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2023-08
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2023-08
45um 850nm 25Gbps / 100Gbps GaAs PIN PD Chip Features High data rates up to 25Gbps Resonsiable for 850nm High responsivity Low capacitance L…… [了解更多]
產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務(wù)。
——產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列