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850nm 10Gbps / 40Gbps GaAs PIN PD Chip & Array850nm 10Gbps / 40Gbps 光探測(cè)器芯片及陣列

INTRODUCTION介紹

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850nm 10Gbps / 40Gbps GaAs PIN PD Chip&Array - OS-PD60A、OS-PD4X60A


Features 

  High data rates up to 12Gbps

  GaAs PIN Photodiode

  Anti-reflective for 850nm                                     

  High responsivity

  Low capacitance

  Low dark current

  Top illuminated planar structure

 

Application
   850nm 10Gbps 1x4 1x8 1x12 Array

   Short-Reach Optical Networks

   Active Optical Cable (AOC) Receiver

   Multi-mode Fiber Datacom


Specification  (Tc=25℃, Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ


850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=1310nm

λ=1550nm

Dark current

ID


0.05

0.3

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.13

0.16

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


12.0


GHz

3dB down, RL=50Ω


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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列

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