InGaAs 2.5Gbps PIN PD Chip For GPON - PD1050B、PD1050F
Features
Bandwidths up to 10GHz
High Responsivity
Low Capacitance
Low Dark Current
Top Illuminated planar structure
Diode on Semi Insulating Substrates
Anode/Cathode Pads on Front Side
Application
GPON (+Super TIA)
10G EPON
Long-haul optical networks
WDM, ATM
Fiber-optic Datacom
Specification (Tc=25℃)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Response range | λ | 900 | 1650 | nm | ||
Responsivity | R | 0.8 | 0.85 | A/W | λ=1310nm | |
0.9 | λ=1550nm | |||||
Dark current | ID | 0.08 | 0.5 | nA | VR=5V | |
Capacitance | C | 0.12 | 0.20 | pF | VR=2V, f=1MHz | |
Bandwidth | Bw | 10.0 | GHz | 3dB down, RL=50Ω |
產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。
——產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列
