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InGaAs 2.5Gbps APD Chip For OLTOLT端用高靈敏度2.5Gbps 雪崩光電探測(cè)器芯片

INTRODUCTION介紹

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InGaAs 2.5Gbps APD Chip For OLT - OS-APD50S


Features 

   High speed

   High responsivity

   Low capacitance

   Low dark current

   Top illuminated planar structure

 

Application

   GPON, PON OLT

   Long-haul optical networks

   Fiber-optic Datacom

   Fiber Channel

  

Specification  (Tc=25℃)  

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Breakdown Voltage

VBR

40


52

V

Id=10uA

Temperature coefficient
  of VBR



0.12


V/℃


Responsivity

R

10

13


A/W

VR=VBR-3V

Dark current

ID


0.4

10.0

nA

VBR-3V

Capacitance

C


0.18

0.3

pF

VR=38V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


2.5


GHz



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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列

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