10Gbps APD Chip For XG-PON OLT- OS-APD1030
Features
Data rates up to 10Gbps
High Responsivity
Low Capacitance
Low Dark Current
Top Illuminated planar structure
Application
XG-PON OLT
Optical Ethernet
Specification (Tc=25℃)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Active area diameter | D | 30 | μm | |||
Response range | λ | 900 | 1650 | nm | ||
Breakdown Voltage | VBR | 30 | V | Id=10uA | ||
Responsivity | R | 0.75 | A/W | M=1 | ||
Temperature coefficient of VBR | 0.05 | V/℃ | ||||
Dark current | ID | 30.0 | nA | VR=0.9*VBR | ||
Capacitance | C | 0.10 | 0.13 | pF | VR=0.9*VBR | |
Bandwidth | Bw | 7.5 | GHz | |||
Bond Pad Diameter | 65 | μm | ||||
Die size | 220X220 | μm |
2020-07
產(chǎn)品展示是指對(duì)客戶(hù)的產(chǎn)品進(jìn)行詳細(xì)展示,包括規(guī)格,產(chǎn)品的款式顏色等所有產(chǎn)品詳細(xì)的信息?!?[了解更多]
產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線(xiàn)通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。
——產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線(xiàn)通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列