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40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONUXG-PON ONU 用40um 10Gbps雪崩光電二極管芯片


INTRODUCTION介紹


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40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONU - OS-APD1040

Features 

   Data rates up to 10Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

  

Application

   XG-PON
   PON ONU/OLT       
   Optical  Ethernet 


Specification  (Tc=25℃) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Breakdown Voltage

VBR

30


50

V

I=10uA

Responsivity

R


0..85


A/W

M=1,λ=1550nm

Multiplication factor

M

9



-

VR=VBR-3V

Temperature

coefficient of VBR



0.028


V/


Dark current

ID



150

nA

VR=VBR-3V

Capacitance

C


0.11

0.12

pF

VR=VBR-3V

Bandwidth

Bw


7.5


GHz







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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線(xiàn)通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線(xiàn)通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域,并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列

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